DMC904F00R
库存数量:7,996
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
描述:TRANSISTOR NPN 20V SSMINI6-F3-B
RoHS:无铅 / 符合
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价格行情(美元)
价格 单价 总价
1 0.75000 0.75
25 0.52600 13.15
100 0.45080 45.08
250 0.38932 97.33
500 0.33470 167.35
1,000 0.25956 259.56
2,500 0.23907 597.67
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产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管 - 专用型 描述 TRANSISTOR NPN 20V SSMINI6-F3-B
标准包装 1 系列 -
晶体管类型 2 NPN(双)
应用 高频率
电压 - 额定 20V
额定电流 15mA
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商设备封装 SSMini6-F3-B
包装 标准包装
其它名称 DMC904F00RDKR
DMC904F00R 同类产品
型号 BC640ZL1G 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管 - 专用型
制造商 ON Semiconductor 描述 TRANSISTOR PNP GP 80V 0.5A TO-92
产品变化通告 Product Discontinuation 01/Oct/2008
标准包装 2,000
系列 - 晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 40 @ 150mA,2V
功率 - 最大 625mW
频率 - 转换 150MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装 TO-92-3
包装 带盒(TB)
型号 UBT2G470MHD 数量 76
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管 - 专用型
制造商 Nichicon 描述 CAP ALUM 47UF 400V 20% RADIAL
标准包装 50 系列 BT
电容 47µF
额定电压 400V
容差 ±20%
寿命@温度 125°C 时为 2000 小时
工作温度 -25°C ~ 125°C
特点 自动
纹波电流 243mA
ESR(等效串联电阻) -
阻抗 -
安装类型 通孔
封装/外壳 径向,Can
尺寸/尺寸 0.630" 直径(16.00mm)
高度 - 座高(最大) 1.319"(33.50mm)
引线间隔 0.295"(7.50mm)
表面贴装占地面积 -
包装 散装
其它名称 493-4482
UBT2G470MHD-ND
型号 CFX5EI-X 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管 - 专用型
制造商 Panduit Corp 描述 COUPLING PWR LD/LDP/CD5 IVRY
标准包装 10 系列 Pan-Way™
附件类型 连接件 - 耦合器
适用于相关产品 Panduit 类型 LD、LDS 和 LDP 布线管
高度 0.640"(16.30mm)
1.11"(28.2mm)
长度 1.00"(25.4mm)
颜色 乳白
型号 M3BEK-2036J 数量 0
增值物件
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管 - 专用型
制造商 3M 描述 IDC CABLE - MSR20K/MC20G/MCE20K
产品培训模块 Cable Matters
标准包装 1
系列 - 连接器类型 插口至卡边
位置数 20
行数 2
间距 - 连接器 0.100"(2.54mm)
间距 - 线缆 0.050"(1.27mm)
长度 3.00'(914.40mm)
特点 应力消除
颜色 灰色,带状
屏蔽 无屏蔽
使用 -
电缆端接 IDC
触点表面涂层
触点涂层厚度 30µin(0.76µm)
型号 DMC904F00R 数量 7,996
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管 - 专用型
制造商 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products 描述 TRANSISTOR NPN 20V SSMINI6-F3-B
标准包装 1 系列 -
晶体管类型 2 NPN(双)
应用 高频率
电压 - 额定 20V
额定电流 15mA
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商设备封装 SSMini6-F3-B
包装 剪切带 (CT)
其它名称 DMC904F00RCT
型号 ESMG350ELL332MN25S 数量 499
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管 - 专用型
制造商 United Chemi-Con 描述 CAP ALUM 3300UF 35V 20% RADIAL
产品目录绘图 SMG Series Bottom_10.0
SMG Series_20 x 25
标准包装 250
系列 SMG 电容 3300µF
额定电压 35V
容差 ±20%
寿命@温度 85°C 时为 2000 小时
工作温度 -40°C ~ 85°C
特点 通用
纹波电流 2.05A
ESR(等效串联电阻) -
阻抗 -
安装类型 通孔
封装/外壳 径向,Can
尺寸/尺寸 0.787" 直径(20.00mm)
高度 - 座高(最大) 0.984"(25.00mm)
引线间隔 0.394"(10.00mm)
表面贴装占地面积 -
包装 散装
产品目录页面 1984 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 565-1089
型号 BC640ZL1 数量 可订货
RoHS PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管 - 专用型
制造商 ON Semiconductor 描述 TRANSISTOR PNP GP 80V 0.5A TO-92
产品变化通告 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装 2,000
系列 - 晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 40 @ 150mA,2V
功率 - 最大 625mW
频率 - 转换 150MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装 TO-92-3
包装 带盒(TB)
型号 M3TTK-3018R 数量 0
增值物件
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管 - 专用型
制造商 3M 描述 IDC CABLE - MSD30K/MC34M/MSD30K
产品培训模块 Cable Matters
标准包装 1
系列 - 连接器类型 插口至插口
位置数 30
行数 2
间距 - 连接器 0.100"(2.54mm)
间距 - 线缆 0.050"(1.27mm)
长度 1.50'(457.20mm)
特点 电极标记
颜色 多色,带状
屏蔽 无屏蔽
使用 -
电缆端接 IDC
触点表面涂层
触点涂层厚度 30µin(0.76µm)
产品目录页面 42 (CN2011-ZH PDF)
型号 UVZ2E221MRD 数量 521
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管 - 专用型
制造商 Nichicon 描述 CAP ALUM 220UF 250V 20% RADIAL
产品目录绘图 VZ Series_10
VZ Series_20 x 40 x 1.0
标准包装 50
系列 VZ 电容 220µF
额定电压 250V
容差 ±20%
寿命@温度 105°C 时为 1000 小时
工作温度 -40°C ~ 105°C
特点 通用
纹波电流 600mA
ESR(等效串联电阻) -
阻抗 -
安装类型 通孔
封装/外壳 径向,Can
尺寸/尺寸 0.787" 直径(20.00mm)
高度 - 座高(最大) 1.575"(40.00mm)
引线间隔 0.394"(10.00mm)
表面贴装占地面积 -
包装 散装
产品目录页面 1962 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 493-1420
型号 BC640G 数量 可订货
RoHS 无铅 / 符合 PDF Datasheet
产品主类 分离式半导体产品 产品分类 晶体管 - 专用型
制造商 ON Semiconductor 描述 TRANSISTOR PNP GP 80V 0.5A TO-92
产品变化通告 Product Discontinuation 01/Oct/2008
标准包装 5,000
系列 - 晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 40 @ 150mA,2V
功率 - 最大 625mW
频率 - 转换 150MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装 TO-92-3
包装 散装
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