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2SK220H

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  • 2SK220H
    2SK220H

    2SK220H

  • 北京元坤国际科技有限公司
    北京元坤国际科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • 原厂品牌

  • 原厂封装

  • 09/10+

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  • 2SK220H
    2SK220H

    2SK220H

  • 北京元坤国际科技有限公司
    北京元坤国际科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • 原厂品牌

  • 原厂封装

  • 09/10+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • 2SK220H
    2SK220H

    2SK220H

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0510-85346880

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc,iscsemi

  • TO-3

  • 2020+

  • -
  • 厂家直销,质量等同原装

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  • 1
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  • 制造商
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  • 制造商全称
  • 未知厂家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3
2SK220H 技术参数
  • 2SK2145-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):1.2mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SMV 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 2SK2145-GR(TE85L,F 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):2.6mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SMV 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 2SK2145-BL(TE85L,F 功能描述:JFET N-CH 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):6mA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 供应商器件封装:SMV 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 2SK2103T100 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SK209-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:10V 额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500μA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F)
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